报告题目：

High-throughput design of high-performance high-k dielectrics for 2D electronics

报告人：

杨明

报告时间：

2024年12月12日15:00

地点：

线上报告

#腾讯会议：566-421-406,

https://meeting.tencent.com/dm/OqoO1ghxlUte

报告简介:

二维（2D）半导体，如单层二硫化钼（MoS₂），在推进纳米电子学方面具有重要意义。然而，将高介电常数（high-k）的电介质与2D半导体集成以实现高性能仍然是一个挑战。在这次演讲中，我将介绍我们对设计高k电介质和2D MoS₂之间高性能界面的理解。首先，我会展示氢化是一种有效的钝化方法，可以作用于传统高k电介质与MoS₂之间的界面上未配对的悬挂键，在这个过程中，氢化会选择性地发生在诸如氮化硅（Si₃N₄）和铪氧化物（HfO₂）这样的高k电介质上，而不会影响到MoS₂。其次，我将介绍一种数据驱动的方法，用于加速发现有潜力的无机分子晶体作为适用于2D MoS₂的高性能高k电介质。这些研究成果推动了对将高k电介质与2D半导体集成的理解，并可能有助于广泛种类的2D电子和光电设备的发展。

报告专家简介：

杨明博士目前就职于香港理工大学应用物理系。他目前担任IEEE香港电子器件学会/固态电路联合分会的秘书，并且是《IEEE新兴计算智能主题汇刊》的副主编。杨博士在新加坡国立大学获得博士学位。加入理工大学之前，他在材料研究与工程研究院（IMRE）工作。截至目前，杨博士已在包括《科学》、《自然·材料》、《自然·电子学》、《自然·纳米技术》、《物理评论快报》、《先进材料》和《美国化学会志》等著名期刊上发表了超过180篇同行评审论文。他的研究成果已被引用超过7,500次，H指数为45（截至2024年12月，谷歌学术）。

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